WD считает, что новые типы памяти не заменят DRAM или NAND

В последнее время многие говорят о памяти типа storage class (SCM). Она быстрее традиционной флеш-памяти, но медленнее DRAM. На роль SCM претендуют различные технологии: 3D XPoint, PCM, MRAM, FeRAM, STT-RAM и другие.

Компания Western Digital, один из крупнейших поставщиков жёстких дисков и флеш-накопителей полагает, что новые, экзотические типы памяти не заменят DRAM или NAND-устройства в обозримом будущем.

Пирамида запоминающих устройств. По мнению некоторых аналитиков, SCM займёт место в её середине

Некоторые аналитики полагают, что SCM способна заменить как оперативную память, так и флеш-накопители, сочетая в себе их главные достоинства — высокую скорость с независимостью от питания. Однако вице-президент Western Digital по технологиям памяти, Шива Шиварам (Siva Sivaram) в своём интервью ресурсу Blocks & Files заявил, что подобного синтеза не произойдёт. «Будущее NAND — это NAND, будущее DRAM — это DRAM», ответил он на заданный вопрос, добавив, что для SCM-памяти просто нет широкого рынка.

Ускоритель nvNITRO: STT-MRAM: более 1,5 миллиона IOPS в любом режиме, но всего 1 Гбайт ёмкости

В настоящее время рынок SCM-памяти фрагментирован и представляет собой набор небольших специализированных ниш, где экзотические накопители действительно находят себе применение. При этом каждая ниша «заточена» под свой уникальный тип SCM с его особенными характеристиками.

Представителю WD можно доверять: компания тщательно отслеживает развитие различных SCM-технологий, владеет патентами на XPoint и 3D XPoint и создала первые устройства на базе этой технологии ещё в 2004 году. Уже тогда WD удалось заработать порядка $400 миллионов на поставках SCM-устройств.

Сравнительные характеристики разных типов SCM-памяти

В интервью также был затронут вопрос о судьбе QLC NAND. По мнению Шиварама, TLC приближается к своему пределу. По мере взросления технологии характеристики TLC-устройств становились всё лучше (и это действительно так, достаточно вспомнить наш обзор Samsung 970 EVO Plus), но рынок жаждет дальнейшего увеличения плотности хранения данных и снижения удельной цены гигабайта. У QLC есть свои недостатки, которые, по мнению WD, могут быть нейтрализованы использованием продвинутых контроллеров. Было сказано, что эра QLC начинается с внедрения технологий, позволяющих выпускать чипы 3D NAND с количеством слоёв более 100.

Смогут ли контроллеры нового поколения нейтрализовать низкий ресурс PLC NAND?

Что касается гипотетической пятиуровневой памяти (PLC), то она предполагает использование 32 уровней программирующих напряжений на ячейку. Такая память будет не только существенно медленнее, нежели даже QLC, которая и так не блещет скоростными показателями, но и ресурс PLC снизится до неприемлемо низкого при существующем уровне технологий.

Время PLC настанет через 2 ‒ 3 года, когда прогресс QLC перестанет приносить дивиденды. Но, как считает Шива Шиварам, к этому времени уже появятся новые, «умные» контроллеры с алгоритмами машинного обучения, которые смогут в нужной степени нейтрализовать недостатки PLC. Сам цикл перехода с QLC на PLC будет аналогичен тому, который наблюдается сейчас с TLC и QLC.

Источник