При создании 128-слойной памяти 3D NAND Micron будет использовать технологию замещающего затвора

На прошедшей неделе компания Intel выступила с рассказом о своих планах по развитию памяти типа 3D NAND, из которых стало ясно, что этот производитель делает ставку на технологию плавающего затвора, с помощью которой планирует в следующем году освоить выпуск 144-слойной памяти типа QLC. Принято считать, что ещё недавно выступавшая в роли партнёра Intel компания Micron отдаёт предпочтение технологии изготовления ячеек памяти с ловушкой заряда, но опубликованный на днях квартальный отчёт Micron Technology позволил убедиться, что это не совсем так.

Источник изображения: Micron Technology

По крайней мере, руководство Micron сочло нужным заявить, что уже получены образцы памяти типа 3D NAND с замещающим затвором, и в следующем году эта технология будет использоваться для производства 128-слойной памяти. Правда, объёмы выпуска не будут большими, а потому 96-слойная память на протяжении всего 2020 года останется главной «рабочей лошадкой», как выразился генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Внедрение технологии замещающего затвора будет реализовано в ограниченном наборе продуктов, а в серию пойдёт уже второе поколение этой технологии, которое Micron рассчитывает освоить только в 2021 календарном году. Если учесть, что Intel будет выпускать 144-слойную память с плавающим затвором, сомневаться в разделении стратегии бывших партнёров уже не приходится. Переход на замещающий затвор в масштабах серийного производства позволит Micron существенно снизить себестоимость памяти типа 3D NAND, как ожидает руководство компании.

Источник